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                    CNY 0.37
                    厂商: Infineon Technologies
                    库存件数: 387
                    货期: 现货
                    数量: 
                    -
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                    • 规格参数
                    • 技术文档

                    产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

                    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
                    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3500
                    最大漏极电流Id(on)(A):0.23
                    通道极性:N沟道
                    封装/温度(℃):SOT-23-3/-55~150
                    描述:60V,0.23A,N沟道功率MOSFET
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